三星今年砸1724亿投资半导体：超英特尔台积电总和

按照IHS的说法，今年3季度，三星在半导体方面的总营收超越了英特尔，拿下“新一哥”的称号。

同时值得注意的是，三星在半导体投资/资本支出方面的手笔也是出奇的高。

据IC Insights，去年三星在半导体方面花了113亿美元，今年预计达到260亿美元（约合1724亿元），也就是翻番。

更惊人的是，这260亿美元超越了英特尔和台积电投资量的总和。

资料显示，2010年的时候，三星对半导体的投资首次超过了100亿美元，此后就一发不可收拾。

IC Insights估算，三星在第四季度的半导体资本支出额是86亿美元，占到整个半导体业界综合33%。

那么这些钱花到哪里了呢？

Digitimes称，140亿美元投入在了3D NAND闪存方面，70亿美元用于DRAM内存，还有50亿美元则是用于10nm等先进制造工艺方面。

报道称，这些疯狂的投资还有一个非常关键的目的是狙击准备爆发的中国产存储器项目，比如紫光主导的武汉存储器基地（3D NAND），总投资240亿美元；兆易创新在合肥的DRAM颗粒厂，总投资180亿人民币。

虽然看起来我国的投资规模也不小，甚至不输给三星，但区别在于，对方早已是产业链的深喉玩家，是巨人，而我们则只能算是初出茅庐。