郭明錤：明年新款iPhone LTE连接速度将更快

据科技博客Macrumors北京时间11月18日报道，凯基证券（KGI）分析师郭明錤周五表示，苹果公司在2018年推出的下一代iPhone机型上，将采用英特尔的XMM 7560和高通的Snapdragon X20调制解调器芯片，从而使新款iPhone的LTE连接具有更快的传输速度。

郭明錤强调，这两款新的调制解调器芯片都支持4x4 MIMO天线设计技术，相比之下，苹果当下最新款的iPhone机型仅使用了2x2 MIMO工艺，这让他相信，苹果明年所推出的iPhone上的LTE的传输速度将会有显著提高。

图：苹果下一代iPhone将采用新基带芯片

“新iPhone的基带芯片将从英特尔目前的XMM 7480升级到XMM 7560，所使用的高通MDM 9655基带芯片也将升级到SDX 20，由于未来的两款芯片都支持4 x4 MIMO天线设计，而在今年的iPhone中天线设计仅采用了2x2 MIMO技术，因而我们预计未来的LTE的传输速度将会显著增加。”报告还称，英特尔将为苹果提供70%到80%以上的基带芯片。

此外，郭明錤认为明年的iPhone机型将具备双卡双待(DSDS)功能，支持LTE+LTE连接，这将允许两个SIM卡同时使用一套芯片。

“明年的iPhone手机不仅提供了更快的LTE传输速度，我们预测，在明年的新款iPhone中，至少有一款将支持双卡双待功能。与目前双卡双待手机通常支持LTE+3G连接相比，我们认为下一代iPhone机型将支持LTE+LTE连接，从而增强用户体验。”

目前尚不清楚明年的新款iPhone是否会有双SIM卡插槽，或者其中的一个SIM卡是否会嵌入到设备当中。